| 标题 |
[高分]
  Reduced peripheral leakage current in pin photodetectors of Ge on n<sup>+</sup>-Si by P<sup>+</sup> implantation to compensate surface holes 通过P+注入补偿表面空穴降低n+-Si上Ge PIN光电探测器的外围漏电流
相关领域
响应度
泄漏（经济）
材料科学
暗电流
光电子学
光电二极管
外延
光电探测器
图层（电子）
纳米技术
宏观经济学
经济
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Koji Abe; Mikiya Kuzutani; Satoki Furuya; Jose A. Piedra-Lorenzana; Takeshi Hizawa; et al 出版日期：2024-05-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
大力的冬萱
cdercder
ale
OK
Avalonx
yjh123
行走的荷尔蒙
lx
arniu2008
初景
liuzhuohao
嘉心糖
乐空思
sagitar
MozzieMiao
lizishu
学术文献互助
Oracle
Copyright
皖公网安备34019202002308
