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标题
1200-V Dual-Gate p-GaN Bidirectional Switches on 200-mm Engineered Substrates
相关领域
光电子学 对偶（语法数字） 材料科学 逻辑门 电子工程 工程类 艺术 文学类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3619922
DOI
10.1109/ted.2025.3619922 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：G. Baratella; Urmimala Chatterjee; S. Kumar; Matteo Borga; Karen Geens; et al
出版日期：2025-01-01
求助人
ppboyindream 在 2025-11-03 11:08:54 发布自上海，悬赏 10 积分
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