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 12.1 A 7nm 256Mb SRAM in high-k metal-gate FinFET technology with write-assist circuitry for low-V<inf>MIN</inf> applications 相关领域
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期刊：2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Jonathan Chang; Yen-Huei Chen; Wei-Min Chan; Sahil Preet Singh; Hank Cheng; et al 出版日期：2017-03-07 |
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