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A Sub-20 mV V TH Hysteresis Enhancement-Mode GaN p -FET With PEALD AlON Gate Dielectric |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xuanming Zhang; Jiachen Duan; Yihan Ding; Qiyi Guo; Jingyue Wu; et al 出版日期:2026-02-10 |
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(2025-6-4)