Three-Level T-Type APF With Paralleled Discrete SiC MOSFETs Using Optimized-Balanced Parasitic Inductance Structure

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标题	Three-Level T-Type APF With Paralleled Discrete SiC MOSFETs Using Optimized-Balanced Parasitic Inductance Structure
网址	http://dx.doi.org/10.1109/jestpe.2025.3572302
DOI	10.1109/jestpe.2025.3572302 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Hu Tan; Yaqi Zhu; Weiming Tian; Jiaqi Zhao; Xiaofeng Wang; et al 出版日期：2025-10-01
求助人	英吉利25 在 2026-07-15 16:40:37 发布自天津，悬赏 10 积分
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