Indirect to direct band gap transition through order to disorder transformation of Cs2AgBiBr6via creating antisite defects for optoelectronic and photovoltaic applications

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标题	Indirect to direct band gap transition through order to disorder transformation of Cs2AgBiBr6via creating antisite defects for optoelectronic and photovoltaic applications
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2022/RA/D1RA06308A
DOI	10.1039/d1ra06308a doi
其它	期刊：RSC Advances 作者：M. A. Hadi; Md. Nurul Islam; Jiban Podder 出版日期：2022-05-20
求助人	yyy 在 2026-04-12 18:21:23 发布自陕西，悬赏 10 积分
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