| 标题 |
 Performance Comparison of AlGaN/GaN HEMTs with Al0.05Ga0.95N and β-Ga2O3 Back Barriers on SiC Substrate for RF Applications 相关领域
跨导
材料科学
光电子学
截止频率
击穿电压
带隙
碳化硅
无线电频率
晶体管
高电子迁移率晶体管
电压
基质（水族馆）
电气工程
宽禁带半导体
偏移量（计算机科学）
电流（流体）
输入偏移电压
直流偏压
阈值电压
低频
电流密度
硅
性能增强
异质结
氧化物
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期刊：Semiconductors 作者：Bathlin Nelmin Nelson; R. S. Shaji 出版日期：2026-01-01 |
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