Hydrogenated amorphous silicon deposited under accurately controlled ion bombardment using pulse-shaped substrate biasing

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标题	Hydrogenated amorphous silicon deposited under accurately controlled ion bombardment using pulse-shaped substrate biasing
网址	https://doi.org/10.1063/1.3505794
DOI	10.1063/1.3505794 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：M. A. Wank; R. A. C. M. M. van Swaaij; P. Kudlacek; M. C. M. van de Sanden; M. Zeman 出版日期：2010
求助人	Ying 在 2026-04-29 13:40:44 发布自河南，悬赏 10 积分
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