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Influence of an in-plane magnetic field on the electronic structure of an inverted InAs/GaSb quantum well 面内磁场对InAs/GaSb反转量子阱电子结构的影响
相关领域
凝聚态物理
磁场
拓扑绝缘体
物理
电子结构
量子点
量子力学
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:X. G. Wu 出版日期:2017-12-12 |
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