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标题
Improved drain lag by reduced surface current in GaN HEMT via an ultrathin HfO2 blanket layer
通过超薄HfO2覆盖层降低GaN HEMT中的表面电流改善漏极滞后
相关领域
材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 原子层沉积 晶体管 栅极电介质 高-κ电介质 金属浇口 图层（电子） 电介质 制作 栅氧化层 纳米技术 电气工程 电压 病理 工程类 医学 替代医学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/accc4e
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1088/1361-6641/accc4e doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Burak Güneş; Amir Ghobadi; Oğuz Odabaşı; Bayram Bütün; Ekmel Özbay
出版日期：2023-04-12
求助人
无私代容 在 2025-12-04 20:33:14 发布自云南，悬赏 10 积分
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