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Breakdown voltage improvement and analysis of GaN HEMTs through field plate inclusion and substrate removal
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DOI
10.1109/wipda.2017.8170536 doi
其它 期刊:2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
作者:A. Berzoy; C. R. Lashway; H. Moradisizkoohi; Osama A. Mohammed
出版日期:2017-12-13
求助人
luoshifenfenfen 在 2026-10-23 20:53:42 发布自重庆,悬赏 10 积分
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