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 Low-temperature fabrication of sputtered high-k HfO2 gate dielectric for flexible a-IGZO thin film transistors 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Rihui Yao; Zeke Zheng; Mei Xiong; Xiao-Chen Zhang; Xiao-Qing Li; et al 出版日期：2018-03-08 |
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