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 Degradation Evaluation and Defects Analysis for 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Surge Current Stress 相关领域
电气工程
击穿电压
碳化硅
材料科学
物理
电压
工程类
冶金
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dezhi Ma; Zhiyuan He; Yuan Chen; Yijun Shi; Jian Wang; et al 出版日期：2023-10-17 |
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