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标题
Simultaneous low-frequency noise characterization of gate and drain currents in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
网址
http://dx.doi.org/10.1063/1.3259437
DOI
10.1063/1.3259437 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Hemant Rao; Gijs Bosman
出版日期：2009-11-15
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829302yft 在 2026-09-12 17:26:41 发布自上海，悬赏 10 积分
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