| 标题 |
 Semiconducting p-GaN gate HEMT with avalanche-like non-destructive breakdown capability 相关领域
光电子学
材料科学
高电子迁移率晶体管
雪崩击穿
击穿电压
撞击电离
雪崩二极管
电极
图层（电子）
阻挡层
俘获
过电压
降级（电信）
氮化镓
功率半导体器件
随时间变化的栅氧化层击穿
电离
电压
晶体管
压力（语言学）
电子
高压
电子迁移率
齐纳二极管
阈值电压
宽禁带半导体
消散
薄膜
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| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Jingjing Yu; Junjie Yang; Qian Zheng; Sihang Liu; Maojun Wang; et al 出版日期：2026-05-22 |
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