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 An embedded β-Ga2O3 layer in a SOI-LDMOS to improve breakdown voltage 在SOI-LDMOS中嵌入β-Ga2O3层以提高击穿电压
相关领域
LDMOS
绝缘体上的硅
击穿电压
材料科学
功勋
光电子学
MOSFET
电压
电气工程
硅
晶体管
工程类
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| 其它 |
期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Farshad Gholipour; Ali A. Orouji; Dariush Madadi 出版日期：2022-02-01 |
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