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 n-type dopants in (001)β-Ga2O3grown on (001)β-Ga2O3substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 相关领域
分子束外延
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Sang-Heon Han; Akhil Mauze; Elaheh Ahmadi; Tom Mates; Yuichi Oshima; et al 出版日期：2018-02-09 |
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