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标题
Time-gated optical spectroscopy of field-effect-stimulated recombination via interfacial point defects in fully processed silicon carbide power MOSFETs
全加工碳化硅功率MOSFET界面点缺陷场效应复合的时间门控光谱
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1103/physrevapplied.22.024075
DOI
10.1103/physrevapplied.22.024075 doi
其它 期刊：Physical Review Applied
作者：Maximilian W. Feil; Magdalena Weger; H. Reisinger; Thomas Aichinger; André Kabakow; et al
出版日期：2024-08-30
求助人
传奇3 在 2025-12-04 19:10:02 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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