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AlGaN/AlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistor with Annealed Al2O3 Gate Dielectric 具有退火Al2O3栅介质的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
钝化
高电子迁移率晶体管
栅极电介质
退火(玻璃)
晶体管
氧化物
二极管
阈值电压
电介质
栅氧化层
金属浇口
图层(电子)
电气工程
纳米技术
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冶金
工程类
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期刊:Science of Advanced Materials 作者:Yu-Shyan Lin; Heng-Wei Wang 出版日期:2022-08-01 |
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