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标题
Ordered-vacancy-enabled indium sulphide printed in wafer-scale with enhanced electron mobility
具有增强电子迁移率的晶圆级有序空位硫化铟
相关领域
薄脆饼 铟 空位缺陷 材料科学 光电子学 航程（航空） 纳米技术 结晶学 复合材料 化学
网址
https://doi.org/10.1039/c9mh01365b
DOI
10.1039/c9mh01365b doi
其它 期刊：Materials horizons
作者：Azmira Jannat; Qi-Feng Yao; Ali Zavabeti; Nitu Syed; Baoyue Zhang; et al
出版日期：2019-11-16
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ADA 在 2025-11-03 20:23:40 发布自浙江，悬赏 10 积分
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