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[高分]
 Effects of Fluorine Implantation on 1/<I>f</I> Noise, Hot Carrier and NBTI Reliability of MOSFETs 相关领域
闪烁噪声
MOSFET
材料科学
可靠性（半导体）
氟
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Jae‐Hyung Jang; Hyuk-Min Kwon; Ho‐Young Kwak; Sung-Kyu Kwon; Seon-Man Hwang; et al 出版日期：2013-01-01 |
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