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 Dielectric pocket engineered, gate induced drain leakages (GIDL) and analog performance analysis of dual metal nanowire ferroelectric MOSFET (DPE-DM-NW-Fe FET) as an inverter 作为逆变器的双金属纳米线铁电MOSFET（DPE-DM-NW-Fe FET）的介电口袋工程、栅极感应漏极泄漏(GIDL)和模拟性能分析
相关领域
材料科学
纳米线
电介质
逆变器
MOSFET
光电子学
铁电性
对偶（语法数字）
金属浇口
电气工程
栅极电介质
电压
栅氧化层
晶体管
工程类
艺术
文学类
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期刊：Microsystem Technologies 作者：Shalu Garg; Jasdeep Kaur; Anubha Goel; Subhasis Haldar; Rajeev Gupta 出版日期：2024-05-09 |
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