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  Impact of crystal orientation on ohmic contact resistance of enhancement-mode p-GaN gate high electron mobility transistors on 200 mm silicon substrates 晶体取向对200 mm硅基片上增强型p-Gap栅高电子迁移率晶体管电阻的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：M. Van Hove; Niels Posthuma; Karen Geens; D. Wellekens; Xiangdong Li; et al 出版日期：2018-02-14 |
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