| 标题 |
 The effect of GaN epilayer thickness on the near-junction thermal resistance of GaN-on-diamond devices 相关领域
材料科学
钻石
热导率
热阻
光电子学
界面热阻
氮化镓
宽禁带半导体
热的
图层（电子）
声子散射
声子
复合材料
凝聚态物理
物理
气象学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：International Journal of Heat and Mass Transfer 作者：Changhwan Song; Jihyun Kim; Jungwan Cho 出版日期：2020-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Nole
cdercder
故意的以亦
dde
Kao
OK
aaaa
馨馨的科科
Juvenilesy
lailai
DOC_XIONG
Judles
Dean
贪玩的秋柔
junhuihe
共产主义战士
xing_xing
li
MozzieMiao
皖公网安备34019202002308
