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Triple-Level Cell FeRAM With Wake-Up Free HfO 2 /ZrO 2 Superlattice Using Bilayer ALD Temperature Stacks 使用双层ALD温度堆叠的具有无唤醒HfO 2/ZrO 2超晶格的三能级单元FeRAM
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Shu-Chieh Chang 出版日期:2025-01-01 |
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