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标题
[高分] 1.2 kV 4H‐SiC planar power MOSFETs with a low‐K dielectric in central gate
1.2 kV 4H-SiC平面功率MOSFET，中心栅极具有低K电介质
相关领域
MOSFET 材料科学 电容 电介质 光电子学 栅极电介质 栅氧化层 电气工程 高-κ电介质 平面的 化学 晶体管 电极 电压 工程类 计算机科学 计算机图形学（图像） 物理化学
网址
https://doi.org/10.1049/cds2.12115
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1049/cds2.12115 doi
其它 期刊：IET Circuits Devices & Systems
作者：Dong Liu; Mingyue Li; Yangjie Ou; Zhong Lan; Maosen Tang; et al
出版日期：2022-03-30
求助人
研友_nxyWlZ 在 2025-12-06 15:11:15 发布自山东，悬赏 100 积分
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