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[高分]
  1.2 kV 4H‐SiC planar power MOSFETs with a low‐K dielectric in central gate 1.2 kV 4H-SiC平面功率MOSFET，中心栅极具有低K电介质
相关领域
MOSFET
材料科学
电容
电介质
光电子学
栅极电介质
栅氧化层
电气工程
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平面的
化学
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工程类
计算机科学
计算机图形学（图像）
物理化学
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期刊：IET Circuits Devices & Systems 作者：Dong Liu; Mingyue Li; Yangjie Ou; Zhong Lan; Maosen Tang; et al 出版日期：2022-03-30 |
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