| 标题 |
E-Mode p-GaN Gate Punch-Through HEMT with Robust Non-Destructive Drain Breakdown
|
| 网址 |
求助人暂未提供
|
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 其它 | 作者团队:Maojun Wang, Kevin J. Chen, Bo Shen, Jin Wei所属单位:北京大学集成电路学院(School of Integrated Circuits, Peking University)、香港科技大学电子与计算机工程系(HKUST)等 |
| 求助人 | |
| 下载 |