| 标题 |
E-Mode p-GaN Gate Punch-Through HEMT with Robust Non-Destructive Drain Breakdown
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| 网址 |
求助人暂未提供
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| DOI |
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| 其它 | 作者团队：Maojun Wang, Kevin J. Chen, Bo Shen, Jin Wei所属单位：北京大学集成电路学院（School of Integrated Circuits, Peking University）、香港科技大学电子与计算机工程系（HKUST）等 |
| 求助人 | |
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(2025-6-4)
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