Tri-Gate Transistor Architecture with High-k Gate Dielectrics, Metal Gates and Strain Engineering

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标题	Tri-Gate Transistor Architecture with High-k Gate Dielectrics, Metal Gates and Strain Engineering 具有高k栅极介质、金属栅极和应变工程的三栅极晶体管结构相关领域 PMOS逻辑 NMOS逻辑晶体管应变工程材料科学电气工程计算机科学物理光电子学硅工程类电压
网址	https://doi.org/10.1109/vlsit.2006.1705211
DOI	10.1109/vlsit.2006.1705211 doi
其它	期刊：作者：J. Kavalieros; Barry M. Doyle; Suman Datta; G. Dewey; M. Doczy; et al 出版日期：2006-10-24
求助人	英勇冥王星在 2025-03-27 15:44:50 发布自江苏，悬赏 10 积分
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