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标题
Non-planar growth of high Al-mole-fraction AlGaN on patterned GaN platforms for mitigating strain-induced cracks beyond the critical layer thickness
高铝摩尔分数AlGaN在图案化GaN平台上的非平面生长用于减轻超过临界层厚度的应变诱导裂纹
相关领域
摩尔分数 材料科学 蓝宝石 应力松弛 平面的 图层（电子） 外延 放松（心理学） 压力（语言学） 阻挡层 平面（几何） 光电子学 复合材料 光学 化学 几何学 激光器 计算机图形学（图像） 蠕动 物理化学 哲学 物理 社会心理学 语言学 计算机科学 数学 心理学
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127100
AI链接 sciencedirect.com osti.gov osti.govdoi.org
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2023.127100 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Yuto Ando; Frank Mehnke; Henri Bouchard; Zhiyu Xu; Alec M. Fischer; et al
出版日期：2023-01-23
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1111111 在 2025-12-06 08:34:03 发布自陕西，悬赏 10 积分
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