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标题
GaN damage-free cyclic etching by sequential exposure to Cl2 plasma and Ar plasma with low Ar+-ion energy at substrate temperature of 400 °C
在400℃的衬底温度下连续暴露于具有低Ar+-离子能量的Cl2等离子体和Ar等离子体的GaN无损伤循环蚀刻
相关领域
蚀刻（微加工） 基质（水族馆） 等离子体 离子 等离子体刻蚀 图层（电子） 材料科学 反应离子刻蚀 分析化学（期刊） 活化能 化学 纳米技术 物理化学 海洋学 色谱法 地质学 物理 有机化学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0131685
DOI
10.1063/5.0131685 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Shohei Nakamura; Atsushi Tanide; Takahiro Kimura; Soichi Nadahara; Kenji Ishikawa; et al
出版日期：2023-01-24
求助人
rui 在 2025-12-05 20:15:32 发布自四川，悬赏 10 积分
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