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 1230 V β-Ga2O3 trench Schottky barrier diodes with an ultra-low leakage current of &lt;1 μA/cm2 1230 V β-Ga2O3沟槽肖特基势垒二极管，具有<1 μ A/cm2的超低漏电流
相关领域
沟槽
反向漏电流
光电子学
肖特基二极管
材料科学
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二极管
俘获
肖特基势垒
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浅沟隔离
半导体器件
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Wenshen Li; Zongyang Hu; Kazuki Nomoto; Zexuan Zhang; Jui-Yuan Hsu; et al 出版日期：2018-11-14 |
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