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 Low-thermal-budget synthesis of monolayer molybdenum disulfide for silicon back-end-of-line integration on a 200 mm platform 在200 mm平台上低热预算合成用于硅后端集成的单层二硫化钼
相关领域
材料科学
薄脆饼
硅
二硫化钼
单层
光电子学
纳米技术
化学气相沉积
生产线后端
CMOS芯片
复合材料
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Nature Nanotechnology 作者：Jiadi Zhu; Ji Hoon Park; Steven A. Vitale; Wenjun Ge; Gang Seob Jung; et al 出版日期：2023-04-27 |
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