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Strain-induced high Chern number topological insulator state in Fe- or V-decorated MoS2 monolayers Fe或V修饰的MoS2单层中应变诱导的高Chern数拓扑绝缘体态
相关领域
物理
拉伤
国家(计算机科学)
绝缘体(电)
计算机科学
算法
生物
光电子学
解剖
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期刊:Physical review. B./Physical review. B 作者:Siyavash Moradi; Ali Sadeghi 出版日期:2024-01-30 |
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