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标题
Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs
网址
DOI
10.1109/TED.2023.3333283 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Kyota Mikami; Keita Tachiki; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto
出版日期:2024
求助人
Rex 在 2026-03-10 14:24:13 发布自中国台湾,悬赏 10 积分
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