40× Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip

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标题	40× Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8601505/8614478/08614593...
DOI	10.1109/iedm.2018.8614593 doi
其它	期刊：International Electron Devices Meeting 作者：Xiaoxin Xu; Lu Tai; Tian-Cheng Gong; Jiahao Yin; Peng Huang; et al 出版日期：2018-12-01
求助人	wenduoxu 在 2026-10-12 23:20:27 发布自湖北，悬赏 10 积分
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