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标题
900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect
抑制浮置Si衬底诱导背栅效应的900 V有源钝化p-GaN栅极HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 钝化 基质（水族馆） 光电子学 材料科学 门控 宽禁带半导体 图层（电子） 晶体管 电气工程 纳米技术 电压 生物物理学 工程类 海洋学 地质学 生物
网址
https://doi.org/10.1063/5.0253093
DOI
10.1063/5.0253093 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Hao Chang; Junjie Yang; Jingjing Yu; Jiawei Cui; Youyi Yin; et al
出版日期：2025-04-21
求助人
tzk 在 2025-05-22 12:42:15 发布自江苏，悬赏 10 积分
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