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 Study of SRAM Standby Leakage Reduction Techniques for Deep-submicron CMOS Technology 深亚微米互补型半导体工艺下的静态随机存储器待机泄漏降低技术研究
相关领域
泄漏（经济）
静态随机存取存储器
CMOS芯片
备用电源
还原（数学）
嵌入式系统
计算机科学
电子工程
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电压
数学
几何学
宏观经济学
经济
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期刊：International Journal of Control and Automation 作者：Satyendra Kumar; Kaushik Saha; Hariom Gupta 出版日期：2017-10-31 |
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