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Impact of P/E Stress on Trap Profiles in Bandgap-Engineered Tunneling Oxide of 3D NAND Flash Memory
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网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6287639/6514899/09794704.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.org ac.krdoi.org
DOI
10.1109/access.2022.3182397 doi
其它 期刊：IEEE Access
作者：Gilsang Yoon; Donghyun Ko; Jounghun Park; Donghwi Kim; Jungsik Kim; et al
出版日期：2022-01-01
求助人
开放思雁 在 2026-01-09 20:59:39 发布自河南，悬赏 10 积分
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