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 High-performance molybdenum disulfide transistors with channel and contact lengths below 35 nm 沟道和接触长度低于35 nm的高性能二硫化钼晶体管
相关领域
材料科学
单层
阈值电压
二硫化钼
电介质
光电子学
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化学气相沉积
栅极电介质
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硅
双层
晶体管
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纳米电子学
钼
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纳米技术
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期刊：Nature electronics 作者：Najam U Sakib; Chen Chen; Lei Ding; Yang Yang; Joan M. Redwing; et al 出版日期：2025-12-17 |
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