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 Enhancing the radiation hardness of vertical 4H–SiC detectors by the metal-oxide-semiconductor structure 利用金属氧化物半导体结构提高垂直4H-SiC探测器的辐射硬度
相关领域
辐射硬化
材料科学
辐射
金属
氧化物
半导体
光电子学
探测器
压痕硬度
冶金
光学
微观结构
物理
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期刊：Radiation Physics and Chemistry 作者：An Ji; Minqiang Liu; Li Jiang; Yong Wang; S. Y. Wang 出版日期：2024-06-18 |
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