P‐156: Efficiency Improvement Mechanism Analysis of Sidewall Passivation GaN based Micro‐LEDs by Atomic Layer Deposition

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标题	P‐156: Efficiency Improvement Mechanism Analysis of Sidewall Passivation GaN based Micro‐LEDs by Atomic Layer Deposition
网址	https://doi.org/10.1002/sdtp.17983
DOI	10.1002/sdtp.17983 doi
其它	期刊：Sid's Digest Of Technical Papers 作者：Mengyuan Zhanghu; Yibo Liu; Zhaojun Liu 出版日期：2024-06-01
求助人	妮儿0629 在 2026-08-28 15:36:18 发布自北京，悬赏 10 积分
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