Depth profile reconstructions of electronic transport properties in H+ MeV-energy ion-implanted n-Si wafers using photocarrier radiometry

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标题	Depth profile reconstructions of electronic transport properties in H+ MeV-energy ion-implanted n-Si wafers using photocarrier radiometry
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/1.48871...
DOI	10.1063/1.4887117 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：R. Tai; Chinhua Wang; Jingpei Hu; A. Mandelis 出版日期：2014-07-21
求助人	lixy 在 2026-08-28 14:51:27 发布自广东，悬赏 10 积分
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