Lateral source field-plated β-Ga2O3 MOSFET with recorded breakdown voltage of 2360 V and low specific on-resistance of 560 mΩ cm2

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标题	Lateral source field-plated β-Ga2O3 MOSFET with recorded breakdown voltage of 2360 V and low specific on-resistance of 560 mΩ cm2
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab4214/...
DOI	10.1088/1361-6641/ab4214 doi
求助人	衣锦夜行在 2026-03-20 14:20:37 发布自山东，悬赏 10 积分
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