Complementary Field-Effect Transistor (CFET) Demonstration at 48nm Gate Pitch for Future Logic Technology Scaling

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标题	Complementary Field-Effect Transistor (CFET) Demonstration at 48nm Gate Pitch for Future Logic Technology Scaling 用于未来逻辑技术扩展的48nm栅间距互补场效应晶体管（CFET）演示相关领域缩放比例逻辑门纳米片晶体管材料科学泄漏（经济）电气工程电子工程场效应晶体管光电子学工程类纳米技术数学电压几何学经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1109/iedm45741.2023.10413672
DOI	10.1109/iedm45741.2023.10413672 doi
其它	期刊：作者：S. Liao; Yang Liu; T.K. Chiu; Wei-Xiang You; Ting Wu; et al 出版日期：2023-12-09
求助人	华hgger 在 2025-03-26 14:59:52 发布自山西，悬赏 10 积分
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