Radiation hardness of 1.2 kV SiC power devices with advanced edge termination structures under proton irradiation

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标题	Radiation hardness of 1.2 kV SiC power devices with advanced edge termination structures under proton irradiation
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/25040023
DOI	10.1088/1674-4926/25040023 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Sangyeob Kim; Jeongtae Kim; Dong-Seok Kim; Hyuncheol Bae; Min-Woo Ha; Ogyun Seok 出版日期：2026
求助人	Rex 在 2026-05-27 14:01:41 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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