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Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition |
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期刊:Microelectronic Engineering 作者:Takashi Onaya; Toshihide Nabatame; Naomi Sawamoto; Akihiko Ohi; Naoki Ikeda; et al 出版日期:2019-05-29 |
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