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 First Demonstration of Monolayer WSe 2 p-FETs with 53 nm Ultra-scaled Pitch (L C =20 nm, L CH =33 nm, W=100 nm) and I on of 1195 μA/μm at V ds = -1 V 相关领域
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工作（物理）
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期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Aocheng Qiu; Xiong Xiong; Xin Wang; Yuhang Chen; Yuzhe Zhu; et al 出版日期：2025-12-06 |
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