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Improvement of the Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs by Fluorine Doping in the Dielectric Gate Stack 介质栅堆叠中氟掺杂对增强型GaN MIS-HEMT的改进
相关领域
堆栈(抽象数据类型)
材料科学
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宽禁带半导体
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期刊:IEEE Transactions on Nanotechnology 作者:Tsung-Ying Yang; Mei-Yan Kuo; Jui-Sheng Wu; Yan-Kui Liang; Rahul Rai; et al 出版日期:2024-12-25 |
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