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Temperature dependence of two-dimensional structural evolution of monocrystalline 6H-SiC with vacancy and processing defects 含空位和加工缺陷的单晶6H-SiC二维结构演化的温度依赖性
相关领域
单晶硅
材料科学
空位缺陷
化学物理
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硅
物理
化学
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期刊:Ceramics International 作者:Piao Zhou; Chi Fai Cheung 出版日期:2024-12-24 |
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(2025-6-4)