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Vertical GaN/InGaN/GaN heterostructure tunnel field-effect transistor: DC and analog/RF performance 垂直GaN/InGaN/GaN异质结构隧道场效应晶体管:直流和模拟/射频性能
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期刊:International Journal of Modern Physics B 作者:Sangeeta Singh; Pallavi Kumari 出版日期:2022-12-03 |
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